| 发明名称 | 一种GaN基量子点的外延生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种GaN基量子点的外延生长方法，在衬底材料上依次外延生长缓冲层及体材料，在所述体材料的表面引入位错和/或原子滑移面，然后在所述位错和/或原子滑移面的露头处外延生长GaN基量子点。本发明所述外延生长方法无需浸润层，对生长条件和生长工艺的要求较低，适应各种基材料，对于量子点的制备及利用都具有广泛的应用价值。 | ||
| 申请公布号 | CN102254800A | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN201110168823.1 | 申请日期 | 2011.06.21 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 罗毅;王磊;汪莱;郝智彪 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 王加岭;张庆敏 |
| 主权项 | 一种GaN基量子点的外延生长方法，在衬底材料上依次外延生长缓冲层及体材料，其特征在于，在所述体材料的表面引入位错和/或原子滑移面，然后在所述位错和/或原子滑移面的露头处外延生长GaN基量子点。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱 | ||