发明名称 |
一种p-n-衬底型铟镓氮多层薄膜结构光伏器件及制备 |
摘要 |
一种p-n-衬底型铟镓氮多层薄膜结构光伏器件,由衬底、n-InyGa1-yN薄膜和p-InxGa1-xN薄膜依次叠加构成,所述n-InyGa1-yN薄膜中的y为0.05-0.3;所述p-InxGa1-xN薄膜中的x为0.3~0.8;其制备方法采用MOCVD工艺,首先对衬底表面进行表面等离子体清洗,然后依次沉积n-InyGa1-yN薄膜和p-InxGa1-xN薄膜。本发明的优点是:氮铟镓薄膜提供了对应于太阳光谱几乎完美的匹配带隙,为利用单一半导体材料设计、制备更为高效的多结太阳电池提供了可能,且其吸收系数高,载流子迁移率高,抗辐射能力强;其制备方法工艺简单、易于实施,有利于大规模的推广应用。 |
申请公布号 |
CN102254964A |
申请公布日期 |
2011.11.23 |
申请号 |
CN201110204109.3 |
申请日期 |
2011.07.21 |
申请人 |
天津理工大学 |
发明人 |
薛玉明;裴涛;潘洪刚;宋殿友;朱亚东;汪子涵;张衷维;王一;牛伟凯;辛志军;尹振超;王金飞;周凯;李石亮;姜舒博;杨醒 |
分类号 |
H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/06(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0304(2006.01)I |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 |
代理人 |
侯力 |
主权项 |
一种p‑n‑衬底型铟镓氮多层薄膜结构光伏器件,其特征在于:由衬底、n‑InyGa1‑yN薄膜和p‑InxGa1‑xN薄膜依次叠加构成,所述n‑InyGa1‑yN薄膜中的y为0.05‑0.3;所述p‑InxGa1‑xN薄膜中的x为0.3~0.8。 |
地址 |
300384 天津市南开区红旗南路延长线天津理工大学主校区 |