发明名称 制造电子器件的方法
摘要 本发明涉及制造电子器件的方法,包括:形成材料层;在材料层上形成防光晕层;在防光晕层上形成抗蚀剂层;通过曝光步骤和显影步骤使抗蚀剂层图案化,来形成包括多个岛状图案的抗蚀剂图案;通过对抗蚀剂图案进行退火以将岛状图案的形状改变为弯曲的凸形,来形成具有多个弯曲的凸形部分的掩模层;以及对掩模层、防光晕层和材料层进行等离子体处理,以去除掩模层和防光晕层,并将材料层改变为包括多个微透镜的微透镜阵列,其中,防光晕层减少曝光步骤中的光晕。
申请公布号 CN102254923A 申请公布日期 2011.11.23
申请号 CN201110128547.6 申请日期 2011.05.18
申请人 佳能株式会社 发明人 渡边杏平
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 罗银燕
主权项 一种制造电子器件的方法,包括:形成材料层;在材料层上形成防光晕层;在防光晕层上形成抗蚀剂层;通过曝光步骤和显影步骤使抗蚀剂层图案化,来形成包括多个岛状图案的抗蚀剂图案;通过对抗蚀剂图案进行退火以将岛状图案的形状改变为弯曲的凸形,来形成具有多个弯曲的凸形部分的掩模层;以及对掩模层、防光晕层和材料层进行等离子体处理,以去除掩模层和防光晕层,并将材料层改变为包括多个微透镜的微透镜阵列,其中,防光晕层减少曝光步骤中的光晕。
地址 日本东京