发明名称 | 制造电子器件的方法 | ||
摘要 | 本发明涉及制造电子器件的方法,包括:形成材料层;在材料层上形成防光晕层;在防光晕层上形成抗蚀剂层;通过曝光步骤和显影步骤使抗蚀剂层图案化,来形成包括多个岛状图案的抗蚀剂图案;通过对抗蚀剂图案进行退火以将岛状图案的形状改变为弯曲的凸形,来形成具有多个弯曲的凸形部分的掩模层;以及对掩模层、防光晕层和材料层进行等离子体处理,以去除掩模层和防光晕层,并将材料层改变为包括多个微透镜的微透镜阵列,其中,防光晕层减少曝光步骤中的光晕。 | ||
申请公布号 | CN102254923A | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
申请号 | CN201110128547.6 | 申请日期 | 2011.05.18 |
申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 渡边杏平 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 罗银燕 |
主权项 | 一种制造电子器件的方法,包括:形成材料层;在材料层上形成防光晕层;在防光晕层上形成抗蚀剂层;通过曝光步骤和显影步骤使抗蚀剂层图案化,来形成包括多个岛状图案的抗蚀剂图案;通过对抗蚀剂图案进行退火以将岛状图案的形状改变为弯曲的凸形,来形成具有多个弯曲的凸形部分的掩模层;以及对掩模层、防光晕层和材料层进行等离子体处理,以去除掩模层和防光晕层,并将材料层改变为包括多个微透镜的微透镜阵列,其中,防光晕层减少曝光步骤中的光晕。 | ||
地址 | 日本东京 |