发明名称 |
基于电阻的存储器电路的信号裕量平衡 |
摘要 |
本发明揭示一种基于电阻的存储器电路。所述电路包括:数据单元的第一晶体管负载;及位线,其适于检测第一逻辑状态。所述位线耦合到所述第一晶体管负载并耦合到具有磁性隧道结(MTJ)结构的数据单元。所述位线适于在所述位线具有第一电压值时检测具有逻辑一值的数据,且在所述位线具有第二电压值时检测具有逻辑零值的数据。所述电路进一步包括参考单元的第二晶体管负载。所述第二晶体管负载耦合到所述第一晶体管负载,且所述第二晶体管负载具有相关联的参考电压值。所述第一晶体管负载的例如晶体管宽度等特性可经调整以修改所述第一电压值及所述第二电压值,而大体上不改变所述参考电压值。 |
申请公布号 |
CN102257570A |
申请公布日期 |
2011.11.23 |
申请号 |
CN200980151300.7 |
申请日期 |
2009.12.18 |
申请人 |
高通股份有限公司 |
发明人 |
金圣克;金吉苏;宋哲焕;升·H·康;杨赛森;迈赫迪·哈米迪·萨尼 |
分类号 |
G11C11/16(2006.01)I;G11C7/06(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
宋献涛 |
主权项 |
一种放大器,其包含:位线,其经耦合以按第一读取裕量读取第一基于电阻的存储器单元的第一数据并按第二读取裕量读取所述第一基于电阻的存储器单元的第二数据;以及晶体管负载,其耦合到所述位线,其中所述晶体管负载的特性经调整以修改所述第一读取裕量及所述第二读取裕量中的至少一者。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |