一种具有高弛豫度SiGe缓冲层的制备方法

摘要

一种具有高弛豫度(SiGe)缓冲层的制备方法，属于半导体技术领域，特别涉及弛豫锗硅(SiGe)缓冲层的制备方法。该方法的特征是，采用离子注入的方法，在硅(Si)衬底和锗硅(SiGe)缓冲层界面形成一层具有黏性流动性的材料(如硼硅玻璃、或硼磷硅玻璃)；再采用高温退火，或快速热退火等退火技术，修复锗硅(SiGe)层中因离子注入而产生的晶格损伤，并使应力完全弛豫；利用硅(Si)衬底和锗硅(SiGe)缓冲层中间形成的材料的黏性和流动性，使得上面的锗硅(SiGe)缓冲层中的应力弛豫。采用本发明，可制作一种厚度薄，弛豫度高，表面质量好的锗硅(SiGe)缓冲层。

主权项

一种具有高弛豫度SiGe缓冲层的制备方法，其特征在于所述该方法包括以下步骤：①准备硅(Si)衬底，并对其进行清洗，以便于后续工艺淀积锗硅(SiGe)缓冲层；②利用化学气相淀积工艺(CVD)，在上述硅衬底上淀积一层锗硅(SiGe)缓冲层；③离子注入，在锗硅(SiGe)缓冲层上面进行离子注入，通过离子注入穿过锗硅缓冲层，在硅(Si)衬底和锗硅(SiGe)缓冲层界面形成一层具有黏性和流动性的材料；④高温退火，进行高温快速退火，以修复锗硅层因离子注入而产生的晶格损伤，并使工艺过程中产生的应变完全弛豫。