发明名称 |
集成电路的输出管压点的金属连线结构 |
摘要 |
本实用新型涉及一种集成电路的输出管压点的金属连线结构,包括输出管,所述输出管上设有压点区,所述输出管上设有一第一介质薄膜层,所述第一介质薄膜层上的接触孔正对压点区,所述第一介质薄膜层的接触孔及沟槽穿过第一介质薄膜层,其内填充有钛钨过度层及第一层输出管压点连线金属层,所述第一介质薄膜层上方设有第二介质薄膜层,所述第二介质薄膜层的接触孔正对压点区,所述第二介质薄膜层的接触孔及沟槽穿过第二介质薄膜层,其内填充有第二层输出管压点连线金属层,所述第二介质薄膜层上方设有一表面钝化保护层,所述表面钝化保护层对应压点区的位置设有输出管压点沟槽。 |
申请公布号 |
CN202049935U |
申请公布日期 |
2011.11.23 |
申请号 |
CN201120032581.9 |
申请日期 |
2011.01.30 |
申请人 |
福建福顺微电子有限公司 |
发明人 |
林立桂;梅海军;熊爱华;江桂钦;石建武;林善彪 |
分类号 |
H01L23/00(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/00(2006.01)I |
代理机构 |
福州元创专利商标代理有限公司 35100 |
代理人 |
蔡学俊 |
主权项 |
一种集成电路的输出管压点的金属连线结构,包括输出管(1),所述输出管(1)上设有压点区(2),其特征在于:所述输出管(1)上设有一第一介质薄膜层(3),所述第一介质薄膜层(3)上的接触孔正对压点区(2),所述第一介质薄膜层的接触孔及沟槽穿过第一介质薄膜层(3),其内填充有钛钨过度层(4)及第一层输出管压点连线金属层(5),所述第一介质薄膜层(3)上方设有第二介质薄膜层(7),所述第二介质薄膜层(7)的接触孔正对压点区,所述第二介质薄膜层(7)的接触孔及沟槽穿过第二介质薄膜层(7),其内填充有第二层输出管压点连线金属层(8),所述第二介质薄膜层(7)上方设有一表面钝化保护层(9),所述表面钝化保护层(9)对应压点区的位置设有输出管压点沟槽(6)。 |
地址 |
350018 福建省福州市仓山区城门镇城楼260号 |