横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法。所述横向双扩散金属氧化物半导体晶体管包括衬底，第一沟槽，第二沟槽，深N型阱，第一N型阱，第二N型阱，P型阱，栅极区域，源极区域和漏极区域。本发明提供的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，可以在不增加栅极区域宽度的情况下有效地提高击穿电压，延长LDMOS的寿命，改进LDMOS的性能；并且，对称的结构使得源极区域和漏极区域可以互换，这不但提高了晶体管的性能，而且易于电路设计；最后，可以在不增大栅极区域尺寸的情况下降低漏极区域与栅极区域之间发生击穿的可能性，因此延长了晶体管的寿命。

主权项

一种横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法，包括：a)提供衬底；b)在所述衬底的表面实施浅沟槽隔离工艺形成第一沟槽和与所述第一沟槽平行且间隔一定距离的第二沟槽；c)在所述衬底中掺杂形成深N型阱，所述深N型阱包围所述第一沟槽和所述第二沟槽；d)在所述衬底中掺杂形成包围所述第一沟槽的第一N型阱，并在所述衬底中掺杂形成包围所述第二沟槽的第二N型阱，其中，所述第一N型阱与所述第二N型阱之间的距离小于所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的距离，且所述第一N型阱和所述第二N型阱均比所述深N型阱浅；e)在所述第一N型阱和所述第二N型阱之间掺杂形成比所述第一N型阱和所述第二N型阱深但比所述深N型阱浅的P型阱，且所述P型阱与两侧的所述第一N型阱和所述第二N型阱以及下方的所述深N型阱分别形成pn结；f)在所述P型阱的上方制造栅极区域，使所述栅极区域覆盖所述第一沟槽的一部分、所述第二沟槽的一部分、所述第一N型阱的一部分、所述第二N型阱的一部分和所述P型阱，并且所述栅极区域的宽度小于所述第一沟槽和所述第二沟槽最外侧之间的距离；g)在所述第一N型阱中，在所述第一沟槽的最外侧形成源极区域；和h)在所述第二N型阱中，在所述第二沟槽的最外侧形成漏极区域。