| 发明名称 | 电阻型存储器的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种电阻型存储器的制备方法，包括步骤：对下电极构图，对所述下电极进行氧离子注入，以使下电极形成氧化物存储介质层；对所述氧化物存储介质层进行退火处理；以及在所述氧化物存储介质层上构图并形成上电极。根据本发明所述的电阻型存储器的制备方法，存储介质层与下电极基体间不产生空洞，氧化物存储介质层均匀，O元素在氧化物存储介质层中的分布均匀。采用所述方法制备的电阻型存储器具有制作成本低、效果好、易与CMOS工艺集成的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN102254803A | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN201110221864.2 | 申请日期 | 2011.08.04 |
| 申请人 | 江苏畅微电子科技有限公司 | 发明人 | 王慰 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人 | 张向琨;刘春成 |
| 主权项 | 一种电阻型存储器的制备方法，其特征在于，包括步骤：对下电极构图，对所述下电极进行氧离子注入，以使下电极形成氧化物存储介质层；对所述氧化物存储介质层进行退火处理；以及在所述氧化物存储介质层上构图并形成上电极。 | ||
| 地址 | 215513 江苏省常熟经济开发区通港路88号 | ||