发明名称 |
发光二极管封装结构 |
摘要 |
一种发光二极管封装结构,包括:一绝缘衬底的两侧开有通孔,并填充有导电金属;一n型层制作在绝缘衬底上,其上开有一孔,并填充有导电金属;一有源层制作在n型层上;一p型层制作在有源层上;一隔离层位于前述n型层、有源层和p型层的一侧并覆盖部分p型层的上表面;一p电极覆盖隔离层,并覆盖部分p型层的上表面;一n电极制作在n型层上面的一侧,与绝缘衬底上的通孔中的导电金属连接;一第一背电极制作在绝缘衬底的背面的一侧,该第一背电极通过绝缘衬底上的通孔中的导电金属与p电极连接;一第二背电极制作在绝缘衬底的背面的另一侧,该第二背电极通过绝缘衬底上的通孔中的导电金属与n电极连接;前述各部分形成器件的基底;一光学元件封装于基底上,完成器件的制作。 |
申请公布号 |
CN102255034A |
申请公布日期 |
2011.11.23 |
申请号 |
CN201110198226.3 |
申请日期 |
2011.07.15 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
杨华;卢鹏志;谢海忠;于飞;郑怀文;薛斌;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 |
分类号 |
H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/48(2010.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
一种发光二极管封装结构,包括:一绝缘衬底,该绝缘衬底上面的两侧开有通孔,该通孔中填充有导电金属;一n型层,该n型层制作在绝缘衬底上,并覆盖绝缘衬底的大部分面积,使绝缘衬底的一侧形成一台面,该台面的另一侧的n型层上与绝缘衬底的通孔配合开有一孔,该孔中填充有导电金属;一有源层,该有源层制作在n型层上,该有源层的面积小于n型层的面积,而位于n型层的一侧;一p型层,该p型层制作在有源层上;一隔离层,该隔离层位于前述n型层、有源层和p型层的一侧并覆盖部分p型层的上表面;一p电极,该p电极覆盖隔离层,并覆盖部分p型层的上表面,该p电极与绝缘衬底上的通孔中的导电金属连接;一n电极,该n电极制作在n型层上面的一侧,与绝缘衬底上的通孔中的导电金属连接;一第一背电极,该第一背电极制作在绝缘衬底的背面的一侧,该第一背电极通过绝缘衬底上的通孔中的导电金属与p电极连接;一第二背电极,该第二背电极制作在绝缘衬底的背面的另一侧,该第二背电极通过绝缘衬底上的通孔中的导电金属与n电极连接;前述各部分形成器件的基底;一光学元件,该光学元件封装于基底上,完成器件的制作。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |