发明名称 发光二极管封装结构
摘要 一种发光二极管封装结构,包括:一绝缘衬底的两侧开有通孔,并填充有导电金属;一n型层制作在绝缘衬底上,其上开有一孔,并填充有导电金属;一有源层制作在n型层上;一p型层制作在有源层上;一隔离层位于前述n型层、有源层和p型层的一侧并覆盖部分p型层的上表面;一p电极覆盖隔离层,并覆盖部分p型层的上表面;一n电极制作在n型层上面的一侧,与绝缘衬底上的通孔中的导电金属连接;一第一背电极制作在绝缘衬底的背面的一侧,该第一背电极通过绝缘衬底上的通孔中的导电金属与p电极连接;一第二背电极制作在绝缘衬底的背面的另一侧,该第二背电极通过绝缘衬底上的通孔中的导电金属与n电极连接;前述各部分形成器件的基底;一光学元件封装于基底上,完成器件的制作。
申请公布号 CN102255034A 申请公布日期 2011.11.23
申请号 CN201110198226.3 申请日期 2011.07.15
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 杨华;卢鹏志;谢海忠;于飞;郑怀文;薛斌;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汤保平
主权项 一种发光二极管封装结构,包括:一绝缘衬底,该绝缘衬底上面的两侧开有通孔,该通孔中填充有导电金属;一n型层,该n型层制作在绝缘衬底上,并覆盖绝缘衬底的大部分面积,使绝缘衬底的一侧形成一台面,该台面的另一侧的n型层上与绝缘衬底的通孔配合开有一孔,该孔中填充有导电金属;一有源层,该有源层制作在n型层上,该有源层的面积小于n型层的面积,而位于n型层的一侧;一p型层,该p型层制作在有源层上;一隔离层,该隔离层位于前述n型层、有源层和p型层的一侧并覆盖部分p型层的上表面;一p电极,该p电极覆盖隔离层,并覆盖部分p型层的上表面,该p电极与绝缘衬底上的通孔中的导电金属连接;一n电极,该n电极制作在n型层上面的一侧,与绝缘衬底上的通孔中的导电金属连接;一第一背电极,该第一背电极制作在绝缘衬底的背面的一侧,该第一背电极通过绝缘衬底上的通孔中的导电金属与p电极连接;一第二背电极,该第二背电极制作在绝缘衬底的背面的另一侧,该第二背电极通过绝缘衬底上的通孔中的导电金属与n电极连接;前述各部分形成器件的基底;一光学元件,该光学元件封装于基底上,完成器件的制作。
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