发明名称 具有外部测试电压的电路
摘要 本发明公开一种具有外部测试电压的电路,其包含一放大器、一第一P型金属氧化物半导体晶体管、一第二P型金属氧化物半导体晶体管、至少一参考电阻、至少一测试电阻、一第一上电阻、一第二上电阻及一下电阻,其中该第二P型金属氧化物半导体晶体管和该第一P型金属氧化物半导体晶体管相同。通过该第二P型金属氧化物半导体晶体管复制流经该第一P型金属氧化物半导体晶体管的电流以及从该第二上电阻的一第二端馈入的外部测试电压,使得每一测试电阻的一测试输出端的电压和相对应的一参考电阻的一参考输出端的电压的差值为一预定值。
申请公布号 CN102253253A 申请公布日期 2011.11.23
申请号 CN201110075651.3 申请日期 2011.03.23
申请人 钰创科技股份有限公司 发明人 张延安;吴柏庆
分类号 G01R1/28(2006.01)I 主分类号 G01R1/28(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 梁挥;祁建国
主权项 一种具有外部测试电压的电路,其特征在于,包含:一放大器,具有一第一输入端,用以接收一第一电压,一第二输入端,用以接收一参考电压,一第三输入端,及一输出端;一第一P型金属氧化物半导体晶体管,具有一第一端,用以接收该第一电压,一第二端,耦接于该放大器的输出端,及一第三端;一第二P型金属氧化物半导体晶体管,具有一第一端,用以接收该第一电压,一第二端,耦接于该放大器的输出端,及一第三端;至少一参考电阻,具有一第一端,耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端,及一第二端,其中每一参考电阻具有一参考输出端;至少一测试电阻,具有一第一端,耦接于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的第三端,及一第二端,其中每一测试电阻具有一测试输出端,且该每一测试电阻的阻值与相对应的一参考电阻的阻值相同;一第一上电阻,具有一第一端,耦接于该至少一参考电阻的第二端,及一第二端,耦接于该放大器的第三输入端,其中该第一上电阻的阻值可为零;一第二上电阻,具有一第一端,耦接于该至少一测试电阻的第二端,及一第二端,用以接收一外部测试电压,其中该第二上电阻的阻值可为零;及一下电阻,具有一第一端,耦接于该放大器的第三输入端,及一第二端,耦接于一地端;其中该第二P型金属氧化物半导体晶体管和该第一P型金属氧化物半导体晶体管相同。
地址 中国台湾新竹市
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