快闪存储器平均磨损方法及其控制器

摘要

本发明公开一种平均磨损方法，其用于多层存储单元(Multi Level Cell，MLC)NAND快闪存储器。上述存储器包括具有多个区块的第一区域与具有多个区块的第二区域，且第一与第二区域的区块分别包括上页与下页。此平均磨损方法包括使用不同的启动条件来分别判断在MLC NAND快闪存储器的第一区域与第二区域中是否启动平均抹除程序的交换区块运作；以及分别在第一与第二区域中进行交换区块运作，其中第一区域的区块是仅使用下页来存取，并且第二区域的区块是同时使用下页与上页来存取。因此，可有效地延长快闪存储器的寿命同时避免系统资源的无谓浪费。

主权项

一种平均磨损方法，其适用于一多层存储单元NAND快闪存储器，该多层存储单元NAND快闪存储器包括具有多个区块的一第一区域与具有多个区块的一第二区域，且该第一区域与该第二区域的区块包括上页与下页，该平均磨损方法包括：当该第一区域的抹除次数的一第一计数值大于一第一门限值时，在该多层存储单元NAND快闪存储器的该第一区域中启动一平均抹除程序的一交换区块运作，在该第一区域与该第二区域中进行该交换区块运作并且在执行该交换区块运作之后重置该第一计数值；以及当该第二区域的抹除次数的一第二计数值大于一第二门限值时，在该多层存储单元NAND快闪存储器的该第一区域中启动该平均抹除程序的该交换区块运作，在该第二区域中进行该交换区块运作并且在执行该交换区块运作之后重置该第二计数值，其中该第一区域的区块仅使用下页来存取，并且该第二区域的区块同时使用下页与上页来存取，其中该第一门限值大于该第二门限值。