| 发明名称 | PN结隔离结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种PN结隔离结构及其形成方法，所述PN结隔离结构包括：P型衬底；位于所述P型衬底上的N型外延层；贯穿所述N型外延层的沟槽，所述沟槽的底部暴露出所述P型衬底；填充在所述沟槽中的P型半导体层。本发明有利于减小占用的芯片面积，而且工艺简单，可控性好。 | ||
| 申请公布号 | CN102254933A | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN201110219442.1 | 申请日期 | 2011.08.02 |
| 申请人 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 马清杰;陈敏;邵凯 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/761(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆嘉 |
| 主权项 | 一种PN结隔离结构，其特征在于，包括：P型衬底；位于所述P型衬底上的N型外延层；贯穿所述N型外延层的沟槽，所述沟槽的底部暴露出所述P型衬底；填充在所述沟槽中的P型半导体层。 | ||
| 地址 | 200233 上海市徐汇区虹漕路385号 | ||