| 发明名称 | 具有对准标记的半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有对准标记的半导体结构及其形成方法。在一实施例的半导体结构中，多个栅极堆叠形成于半导体基板上并构成对准标记。多个掺杂结构形成于半导体基板中并位于每一栅极堆叠的两侧。多个通道区位于栅极堆叠下方，且通道区不具有任何通道掺质。 | ||
| 申请公布号 | CN102254899A | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN201010527199.5 | 申请日期 | 2010.10.19 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 温明璋;王宪程;陈俊光 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种具有对准标记的半导体结构，其特征在于，包括：多个栅极堆叠，位于一半导体基板上并构成一对准标记；多个掺杂结构，位于每一该些栅极堆叠两侧的该半导体基板中；以及多个通道区位于该些栅极堆叠下方，且该些通道区不具有任何掺质。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 | ||