一种采用双缓冲层技术制备AlInN薄膜的方法

摘要

一种采用双缓冲层技术制备AlInN薄膜的方法，其工艺步骤依次如下：(1)以Si(111)为衬底，在室温、常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；(2)将经步骤(1)处理过的衬底放入溅射室，以Al0.25In0.75合金为靶材，在真空条件下采用磁控溅射法在衬底上生长第一缓冲层AlInN；(3)第一缓冲层AlInN生长结束后，将靶材更换为Al，在真空条件下采用磁控溅射法完成第二缓冲层AlN在第一缓冲层AlInN上的生长；(4)第二缓冲层AlN生长结束后，将靶材更换为Al0.5In0.5合金，在真空条件下采用磁控溅射法完成AlInN薄膜在第二缓冲层AlN上的生长。

主权项

一种采用双缓冲层技术制备AlInN薄膜的方法，其特征在于工艺步骤依次如下：(1)衬底的处理以Si(111)为衬底，在室温、常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；(2)第一缓冲层AlInN的生长将经步骤(1)处理过的衬底放入溅射室，在真空条件下采用磁控溅射法在衬底上生长第一缓冲层AlInN，靶材为Al0.25In0.75合金，以N2为反应气体，Ar为工作气体，N2与Ar的流量比为7∶1，溅射功率50W～60W，溅射时间8分钟～15分钟，溅射过程中衬底的温度控制在250℃～350℃；(3)第二缓冲层AlN的生长第一缓冲层AlInN生长结束后，将靶材更换为Al，在真空条件下采用磁控溅射法完成第二缓冲层AlN在第一缓冲层AlInN上的生长，以N2为反应气体，Ar为工作气体，N2与Ar的流量比为9∶1，溅射功率50W～60W，溅射时间15分钟～20分钟，溅射过程中衬底的温度控制在500℃～600℃；(4)AlInN薄膜的生长第二缓冲层AlN生长结束后，将靶材更换为Al0.5In0.5合金，在真空条件下采用磁控溅射法完成AlInN薄膜在第二缓冲层AlN上的生长，以N2为反应气体，Ar为工作气体，N2与Ar的流量比为7∶1，溅射功率为80W～120W，溅射时间为35分钟～45分钟，溅射过程中衬底的温度控制在250℃～350℃。