| 发明名称 | 射频LDMOS器件结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种射频LDMOS器件结构，其中LDMOS器件之间的隔离结构由多个填充有介质的深槽和位于多个深槽之上的场氧化层组成，该深槽的深度为0.3～10微米。本发明的器件结构，在制备形成场氧化层后，场氧化层和衬底的高度差小，制备成品率高。本发明还公开了一种射频LDMOS器件的制备方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102254913A | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN201010180055.7 | 申请日期 | 2010.05.20 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 王雷;王海军;彭虎;缪燕 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种射频LDMOS器件结构，其特征在于：所述LDMOS器件之间的隔离区的隔离结构由多个填充有介质的深槽和位于所述多个深槽之上的场氧化层组成，所述深槽中填充的介质为介电常数比硅低的介质。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||