| 发明名称 | 增强型多电平存储器 | ||
| 摘要 | 本申请案涉及增强型多电平存储器。本文中所揭示的标的物涉及半导体存储器，且更特定来说，涉及多电平非易失性或易失性存储器。 | ||
| 申请公布号 | CN102254571A | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN201110136221.8 | 申请日期 | 2011.05.18 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 马尔科·马卡罗内;吉多·洛马齐;伊拉里亚·莫塔 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种方法，其包括：将信息存储于一个或一个以上多电平存储器单元中；使用软决策及卷积编码来确定所述信息的值。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||