| 发明名称 | 一种金红石晶体的熔盐生长方法 | ||
| 摘要 | 一种新的助熔剂熔盐法生长金红石单晶。本发明的核心内容是采用二氧化钛、二氧化硅、偏硼酸钠和三氧化钼为原料，利用NaBSiO4和MoO3为助熔剂生长，TiO2:NaBSiO4:MoO3=1:3:（0～2）（摩尔比），转速15r/min，降温速率0.2℃/day～2℃/day，生长得到单晶金红石。本发明采用新助熔剂体系，有效降低粘度，易于得到金红石单晶。 | ||
| 申请公布号 | CN102251273A | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN201110199796.4 | 申请日期 | 2011.07.18 |
| 申请人 | 福建福晶科技股份有限公司 | 发明人 | 王昌运;陈伟;吴少凡 |
| 分类号 | C30B9/04(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I | 主分类号 | C30B9/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种新助熔剂熔盐法生长金红石单晶，其特征在于采用二氧化钛、二氧化硅、偏硼酸钠和三氧化钼为原料，利用NaBSiO4和MoO3为助熔剂生长，TiO2:NaBSiO4:MoO3的摩尔比为1:3:0‑2，转速15r/min，降温速率0.2℃/day～2℃/day。 | ||
| 地址 | 350002 福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号华晶楼 | ||