| 发明名称 | 透明外延p-n异质结薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种透明外延p-n异质结薄膜及其制备方法。该薄膜，包括作为单晶衬底基片的SrTiO3和位于单晶衬底基片之上的LaxSr1-xSnO3外延薄膜及位于所述LaxSr1-xSnO3外延薄膜之上的下述两外延薄膜中的任意一种：PbZr0.52Ti0.48O3外延薄膜和BiFeO3外延薄膜；LaxSr1-xSnO3外延薄膜中，0.03≤x≤0.07。本发明提供的p-n异质结薄膜，各层薄膜均具有很好的单晶外延性且均为钙钛矿结构，不仅具有很好的整流特性，而且整个器件在光波长400-2500nm(p层为PZT)、500-2500nm(p层为BFO)范围内具有高的透过率；p层材料(PZT，BFO)同时也是铁电材料，其中BFO在具有铁电性的同时还具有反铁磁性，在半导体器件的应用中会有更大的潜力。 | ||
| 申请公布号 | CN101697354B | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN200910236143.1 | 申请日期 | 2009.10.20 |
| 申请人 | 中国科学技术大学 | 发明人 | 焦兴利;王海峰;刘亲壮;吴文彬 |
| 分类号 | H01L29/15(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 关畅 |
| 主权项 | 一种透明外延p‑n异质结薄膜，包括作为单晶衬底基片的SrTiO3和位于所述单晶衬底基片之上的LaxSr1‑xSnO3外延薄膜及位于所述LaxSr1‑xSnO3外延薄膜之上的下述两外延薄膜中的任意一种：PbZr0.52Ti0.48O3外延薄膜和BiFeO3外延薄膜；所述LaxSr1‑xSnO3外延薄膜中，0.03≤x≤0.07。 | ||
| 地址 | 230026 安徽省合肥市金寨路96号中国科技大学科技处 | ||