一种SU-8胶微力传感器的制作方法

摘要

本发明公开了一种SU-8胶微力传感器的制作方法，属于微机电系统技术领域中的微传感器。其特征包括以下步骤：采用硅作为衬底，Omnicoat胶为粘结层和牺牲层，第一次曝光显影制作出SU-8胶结构体，然后进行溅射，第二次曝光显影制作出正胶掩模，来腐蚀金属层，最后再进行释放。制作出来的传感器通过两个电极与外围电路连接成为惠斯顿电桥，将电阻变化量转换为电压变化量，以此来测量作用力的大小。本发明选择的光刻胶为SU-8胶，此材料的弹性模量小，使得其性能和半导体硅材料的微力传感器相当，而且具有良好的生物兼容性，工艺步骤简单，加工成本较低，加工周期短，可批量生产。

主权项

一种SU 8胶微力传感器的制作方法，其特征包括以下步骤：(1)第一次涂胶：在硅片上生长一层氧化层，然后旋涂一层Omnicoat胶，所述的硅片为单晶硅片或多晶硅片，可以用玻璃代替硅片与氧化层作为衬底；(2)第二次涂胶：在Omnicoat胶上旋涂一层SU 8胶；(3)第一次曝光、显影：采用紫外线曝光，实现图形从掩模板A到SU 8胶上的转移，然后用SU 8胶专用显影液对曝光后的SU 8胶进行显影，得到SU 8胶结构体；(4)溅射：在SU 8胶结构体上溅射一层金属；(5)第三次涂胶：在铜层上旋涂一层正胶；(6)第二次曝光、显影：采用紫外线曝光，实现图形从掩模板B到正胶上的转移，然后用正胶显影液对曝光后的正胶进行显影，得到正胶结构体；(7)腐蚀、释放：以正胶结构体为掩模，用硝酸溶液对金属铜层进行腐蚀，得到电极和压阻结构层；采用丙酮溶液腐蚀掉Omnicoat胶和正胶结构体。