| 发明名称 | LED芯片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种LED芯片的制造方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，在半导体衬底上采用金属有机化学气相淀积依次生长氮化物成核层、非掺杂氮化物层、N型氮化物层、多量子阱、P型氮化物层；在P型氮化物层上沉积掩膜层；蚀刻掩膜层以形成周期性图形结构窗口，所述周期性图形结构窗口内暴露出P型氮化物层；采用金属有机化学气相淀积外延的方法，在周期性图形结构窗口内、P型氮化物层表面上，形成掺杂锥形结构；去除掩膜层，形成由P型氮化物层和掺杂锥形结构构成的P型外延层。由上述技术方案的实施，提供了一种实现LED芯片的制造方法，以提高氮化物发光二极管的取光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102255009A | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN201110172217.7 | 申请日期 | 2011.06.23 |
| 申请人 | 映瑞光电科技（上海）有限公司 | 发明人 | 于洪波;肖德元;程蒙召;张汝京 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种LED芯片的制造方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，在半导体衬底上采用金属有机化学气相淀积依次生长氮化物成核层、非掺杂氮化物层、N型氮化物层、多量子阱、P型氮化物层；在P型氮化物层上沉积掩膜层；蚀刻掩膜层以形成周期性图形结构窗口，所述周期性图形结构窗口内暴露出P型氮化物层；采用金属有机化学气相淀积外延的方法，在周期性图形结构窗口内、P型氮化物层表面上，形成掺杂锥形结构；去除掩膜层，形成由P型氮化物层和掺杂锥形结构构成的P型外延层。 | ||
| 地址 | 201306 上海浦东新区临港产业区新元南路600号行政办公中心二楼 | ||