存储单元、存储器及向存储单元写数据的方法

摘要

本发明涉及一种存储单元，此存储单元具有可编程固态电解质层、写入线和在该固态电解质层和该写入线之间配置的可控开关，该可控开关具有连接到选择线的控制输入；该开关具有限制元件，其在写操作中将通过该固态电解质层的电流限于预定的电荷量。一种存储器，其具有字线解码器、位线解码器、位线、字线、存储单元，其中存储单元包括可编程固态电解质层和具有浮栅的晶体管，该晶体管的栅极与字线连接，该晶体管的第一端子与该固态电解质层连接，该晶体管的第二端子与位线连接，位线与输入/输出驱动器连接，该浮栅为限制元件，其通过在写操作时将该浮栅电势增加至超过字线上电压而将流过该固态电解质层的电流限于预定量的电荷。

主权项

一种存储单元，其包括：可编程固态电解质层，用于根据该可编程固态电解质层的电阻来表现逻辑状态；写入线；选择线；具有浮栅的场效应晶体管，设置在固态电解质层和写入线之间并且连接至该选择线，其中，该具有浮栅的场效应晶体管至少部分地由在该选择线上施加的电压而受控，其中，该具有浮栅的场效应晶体管在写操作中将流过固态电解质层的电流限于预定量的电荷；以及电压源，在该写操作期间，将编程电压提供给该选择线，其中，该编程电压被选定为大于该具有浮栅的场效应晶体管的初始阈值电压且小于该具有浮栅的场效应晶体管的最大阈值电压。