发明名称 |
提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用 |
摘要 |
一种提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用。该微纳米结构由阵列排布的多个多边形图形单元组成,每一图形单元包括多条彼此孤立的条状微纳米凸起脊,每一凸起脊对应于多边形的一边,且相邻凸起脊之间由平面结构连接;该凸起脊的两端面为曲面,其纵向截面为曲边形结构,该曲边形包括于垂直方向上分布的顶点和底边,该顶点与底边的两个端点之间分别由两条曲线连接。该微纳米结构适于制备发光二极管和用于生长GaN基材料。本发明可以将外延生长时的位错缺陷分布在条状凸起脊的顶部上,消除了外延生长过程中的位错集中,避免出现局部高位错密度缺陷区,提高了LED器件的抗静电击穿能力和寿命,同时凸起脊结构还有利于提高LED的取光效率。 |
申请公布号 |
CN102255024A |
申请公布日期 |
2011.11.23 |
申请号 |
CN201110064346.4 |
申请日期 |
2011.03.17 |
申请人 |
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
发明人 |
王敏锐;方运;张宝顺;杨辉 |
分类号 |
H01L33/20(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/20(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种提高GaN外延材料质量的微纳米结构,其特征在于,所述微纳米结构由阵列排布的复数个多边形图形单元组成,每一图形单元包括复数条彼此孤立的条状微纳米凸起脊,其中每一凸起脊对应于多边形的一边,且相邻凸起脊之间由平面结构连接;所述多边形为三角形或六边形,若为三角形,则其任一顶点和与该顶点相对边之间的间距为0.5~15μm,若为六边形,则其相互平行的两条边之间的间距为0.5~15μm;所述凸起脊的长度为0.4~15μm,其两端为曲面,且其纵向截面为曲边形结构,该曲边形包括于垂直方向上分布的一顶点和一底边,该顶点与底边的两个端点之间分别由两条曲线连接。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 |