一种绝缘体上硅基的波导光栅耦合器及其制备方法

摘要

本发明涉及光子器件技术领域，具体是一种绝缘体上硅基的波导光栅耦合器及其制备方法，该光栅耦合器绝缘衬底硅(SOI)片，其特征在于：SOI片由硅衬底、限制层、顶硅层构成，限制层在硅衬底上，顶硅层制作在限制层上，在顶硅层的表面制作有衍射光栅，在衍射光栅的另一侧为宽波导和锥形波导，与锥形波导连接的为亚微米波导，在顶硅层上的衍射光栅的上方有用于接收衍射光的光纤。本发明光栅耦合器的制备方法，将电子束曝光和普通光刻结合起来，即用高精度的电子束曝光定义精细的光栅与亚微米波导结构，用低精度的普通光刻定义第二次硅刻蚀的窗口，能大大提高制作的工艺容差，又保证了精细结构的完整性。

主权项

一种绝缘体上硅基的波导光栅耦合器，包括SOI片，其特征在于：SOI片由硅衬底、限制层、顶硅层构成，限制层在硅衬底上，顶硅层制作在限制层上，在顶硅层的表面制作有衍射光栅，在衍射光栅的另一侧为宽波导和锥形波导，与锥形波导连接的为亚微米波导，在顶硅层上的衍射光栅的上方有用于接收衍射光的光纤。