制作应变矽互补式金氧半导体电晶体的方法

主权项

一种制作应变矽互补式金氧半导体(strained-silicon CMOS)电晶体的方法，该方法包含有下列步骤：提供一半导体基底，该半导体基底具有一第一主动区域用以制备一第一电晶体、至少一第二主动区域用以制备一第二电晶体、以及一绝缘结构设于该第一主动区域与该第二主动区域之间；形成至少一第一闸极结构于该第一主动区域上与至少一第二闸极结构于该第二主动区域上；分别形成一第一侧壁子于该第一闸极结构与该第二闸极结构周围；分别形成该第一电晶体之源极与汲极区域与该第二电晶体之源极与汲极区域；移除该第一闸极结构与该第二闸极结构周围之第一侧壁子；覆盖一遮盖层于该第一电晶体及该第二电晶体表面；去除该第二电晶体表面之该遮盖层；进行一蚀刻制程，以于该第二闸极结构上及周围之半导体基底中各形成一凹槽；进行一选择性磊晶成长(selective epitaxial growth,SEG)制程，以于各该凹槽内分别形成一磊晶层；以及去除该第一电晶体表面之该遮盖层。