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一种用于形成一横向绝缘闸场效电晶体(IGFET)装置之方法，其包含以下步骤：提供一具有一第一传导性类型之一漂移区域的半导体基板，其中该半导体基板包含一第二传导性类型；在邻近该漂移区域处形成该第二传导性类型之一主体区域；在邻近该漂移区域处形成该第一传导性类型之一汲极接触区域；在位于该汲极接触区域与该主体区域之间之该漂移区域中形成隔开之沟槽；用该第一传导性类型之一掺杂剂来掺杂该等隔开之沟槽之侧壁及下部表面以在该漂移区域内形成第一掺杂区域，其中该等第一掺杂区域具有一比该漂移区域更高之掺杂浓度；用该第二传导性类型之一掺杂剂来掺杂该等隔开之沟槽之该等侧壁及下部表面以在该等第一掺杂区域内形成第二掺杂区域，其中每一沟槽具有环绕其下部表面之一第一掺杂区域及一第二掺杂区域；用一材料填充该等隔开之沟槽；在该主体区域中形成该第一传导性类型之一源极区域；及在邻近该主体区域处形成一闸极结构。 |
