| 发明名称 |
三闸极与闸极环绕之金属氧化半导体场效应电晶体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
TWI353054 |
申请公布日期 |
2011.11.21 |
| 申请号 |
TW093101516 |
申请日期 |
2004.01.20 |
| 申请人 |
高級微裝置公司 美國 |
发明人 |
安西琳;王海宏;俞宾 |
| 分类号 |
H01L29/10 |
主分类号 |
H01L29/10 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼 |
| 主权项 |
一种于金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)(200)中形成闸极的方法，包括下列步骤：形成鳍部结构(310)于基板上(210)；形成闸极介电层(240)于该鳍部结构(310)之上；形成上端闸极电极层(250)于该闸极介电层(240)上；形成复数个邻接该鳍部结构(310)之侧壁闸极结构(410、420)；以及形成上端闸极结构(610)于该鳍部结构(310)之上端上；其中，该形成上端闸极结构(610)之步骤包括：移除该上端闸极电极层(250)。 |
| 地址 |
美国 |
