| 主权项 |
一种用来形成半导体结构的方法，该方法至少包含以下的步骤：(a)形成第一复数个相同的半导体结构，其中该等第一复数个相同的半导体结构中的每一者都是藉由以下步骤所形成：(i)形成一第一区及一第二区，其中该第一区及第二区系透过一第一共同界面表面彼此直接实体接触，及(ii)同时沉积一成长物质于该第一及第二区上，用以分别从该第一及第二区成长出第三及第四区，使得一介于该第三与第四区之间的第二共同界面表面从该第一共同界面表面长出来，其中该第一及第三区包含相同的物质且具有单结晶原子结构，其中该第一区具有与第四区不同的原子结构，及其中沉积该成长物质的步骤是在一第一沉积条件下实施的；接着(b)决定该第一复数个相同半导体结构的一第一良率，其中将一组半导体结构的一良率界定为在该组半导体结构的所有结构中，该组半导体结构的优良结构的百分比函数；且接着(c)如果该第一复数个相同的半导体结构的该第一良率并不在一目标良率的预定范围之内的话，则形成一第二复数个相同的半导体结构，其中除了该沉积成长物质的步骤是在不同于该第一沉积条件的一第二沉积条件下实施，该等第二复数个相同的半导体结构中的每一者系使用与步骤(a)(i)及(a)(ii)相同的步骤来形成。 |
