垂直批次处理装置

主权项

一种垂直批次处理装置，其系配置成用以将复数个目标物体上的一半导体氧化物薄膜转换成一比该半导体氧化物薄膜更容易分解或昇华的中间薄膜，从而移除该半导体氧化物薄膜，该装置包含：一处理容器，其系配置成用以形成一用于容纳该等目标物体之气密处理场；一固持器，其系配置成用以将该等目标物体间隔地支撑在该处理场内部之一垂直方向处；一第一处理气体供应电路，其包含置放于该处理场外部的一第一供应埠且系配置成用以透过该第一供应埠而将一第一处理气体供应至该处理场；一第二处理气体供应电路，其包含置放于该第一供应埠与该处理场之间的一第二供应埠且系配置成用以透过该第二供应埠而将一第二处理气体供应至该处理场；一电浆产生场，其系置放于该第一供应埠与该第二供应埠之间且系配置成用以使该第一处理气体活化以产生第一活性物种，其中该等第一活性物种与该第二处理气体发生反应且藉此产生一用以与该半导体氧化物薄膜发生反应以形成该中间薄膜之反应物；及一排气系统，其包含与该第二供应埠相对而该处理场插入其间所置放的一排气埠且系配置成用以透过该排气埠而以真空方式将气体从该处理场排净，其中藉由以整合方式附着于该处理容器的一第一壁部分而在该处理场之一横向侧上形成一供应头区域，且将该等第一活性物种自该供应头区域供应至该处理场；且在该供应头区域与该处理场之间置放一离子屏蔽板以防止电浆从中穿过。