发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI353013 申请公布日期 2011.11.21
申请号 TW093137304 申请日期 2004.12.03
申请人 羅姆股份有限公司 日本 发明人 柴田和孝
分类号 H01L21/304 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项 一种半导体装置,包括:半导体基板,具有第一和第二表面;第一树脂膜,形成于该半导体基板之该第一表面上;以及第二树脂膜,形成于该半导体基板之该第二表面上,其中,突起电极或互连线形成于该半导体基板之该第一表面上,该第二树脂膜系由低弹性树脂所制成,该低弹性树脂能够吸收施加于该半导体基板之该第二表面之冲击,以及该第二树脂膜系比该半导体基板薄。
地址 日本