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发明名称 用于抛光碳化矽单晶基材的水基抛光浆以及抛光方法
摘要
申请公布号 TWI353017 申请公布日期 2011.11.21
申请号 TW096150284 申请日期 2007.12.26
申请人 昭和電工股份有限公司 日本 发明人 小古井久雄;小柳直树;坂口泰之
分类号 H01L21/304;C09K3/14;C30B29/36 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种用于抛光碳化矽单晶基材之水基抛光浆，其中该浆包含具有1至400奈米平均粒子尺寸的磨蚀剂粒子和无机酸，且该浆具有在20℃下低于2的pH值。
地址 日本
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