| 主权项 |
一种半导体结构，包括：一基板；一第一井区，位于该基板上，该第一井区具有一第一导电类型；一第二井区，位于该基板上，且横向相邻于该第一井区，该第二井区具有相反于该第一导电类型的一第二导电类型；一第三井区，相邻于该第一井区，该第三井区具有该第二导电类型，其中该第二井区和该第三井区系彼此隔开；一第一深井区，位于至少一部分的该第一井区和该第二井区下方，该第一深井区具有该第二导电类型；一第二深井区，位于该第三井区下方，该第二深井区具有该第二导电类型，其中该第二深井区系包围至少一部分的该第三井区的侧壁和底部，且其中该第一深井区和该第二深井区系被一间隙隔开；一绝缘区，位于一部分该第一井区中，从该第一井区的一顶面延伸至该第一井区中；一闸极介电质，从该第一井区的上方延伸至该第二井区的上方，其中一部分该闸极介电质位于该绝缘区的上方；以及一闸极，位于该闸极介电质上。 |
