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经营范围
发明名称
具有多重蚀刻结构之太阳能电池晶片及其制造方法
摘要
申请公布号
TWI353064
申请公布日期
2011.11.21
申请号
TW096124470
申请日期
2007.07.05
申请人
科冠能源科技股份有限公司 苗栗縣竹南鎮和興路330號
发明人
向国成;张峯豪;陈彦彰;曹哲彰
分类号
H01L31/042
主分类号
H01L31/042
代理机构
代理人
文闻 台北市中山区民生东路2段149号7楼
主权项
一种具有多重蚀刻结构之太阳能电池晶片的制造方法,包括下列步骤:提供一第一掺杂型半导体基底;使用一等向性蚀刻溶液来蚀刻该第一掺杂型半导体基底,以在该第一掺杂型半导体基底之一表面上,形成多数个微形山脉;使用一非等向性蚀刻溶液来蚀刻该第一掺杂型半导体基底之该表面,以在该表面之该些微形山脉上,形成多数个突起微粒;在该第一掺杂型半导体基底上进行掺杂,以在该第一掺杂型半导体基底上,形成一第二掺杂型半导体层;以及形成分别连接该第一掺杂型半导体基底与该第二掺杂型半导体层之多个电极。
地址
苗栗县竹南镇和兴路330号
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