| 摘要 |
1. Датчик излучения, содержащий слой нанокластера в виде ленты из графена, расположенной на буферном слое нитрида бора, указанные слои заключены в моноблок с наружным изолирующим покрытием из нейтрального к излучениям материала, причем на концах ленты графена выполнены электроды из проводящего материала. ! 2. Датчик по п.1, отличающийся тем, что он выполнен из, по меньшей мере, одного витка из непрерывной ленты графена с буферным слоем из гексагонального нитрида бора h-BN, при этом со стороны последнего размещена подложка из диэлектрика. ! 3. Датчик по п.2, отличающийся тем, что подложка из диэлектрика выполнена из кремния и покрыта со стороны буферного слоя пленкой оксида кремния Si/SiO2. ! 4. Датчик по любому из пп.2 и 3, отличающийся тем, что витки из непрерывной ленты графена с буферным слоем из гексагонального нитрида бора сжаты в гармошку. ! 5. Датчик по любому из пп.2 и 3, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один виток из непрерывной ленты графена на буферном слое из гексагонального нитрида бора выполнен спиральным. ! 6. Датчик по любому из пп.2 и 3, отличающийся тем, что лента графена нанесена на буферный слой стабилизатора гексагонального нитрида бора равномерно. ! 7. Датчик по п.3, отличающийся тем, что лента графена на буферном слое гексагонального нитрида бора, а также подложка диэлектрика из Si и пленка оксида кремния SiO2 выполнены сплошными. ! 8. Датчик по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что электроды выполнены из высокопроводящих материалов из группы: медь, серебро, золото. ! 9. Датчик по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что наружное покрытие из нейтрального к излучениям наполнителя выполнено из упругого композитного з |
