timalen Kontaktierung von Emittern sowie Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil aus einem Halbleitermaterial, das eine an einer Oberfläche des Halbleiterbauteils angeordnete defektreiche Halbleiterschicht mit einer Defektkonzentration von mindestens 103 Defekten pro cm2 aufweist. Ebenso betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung des vorgenannten Halbleiterbauteils, bei dem eine Halbleiterschicht durch physikalische oder chemische Gasphasenabscheidung auf das Halbleitermaterial aufgetragen und in einem weiteren Arbeitsschritt, z. B. während der Gasphasenabscheidung oder im Anschluss daran, versintert wird. Im Anschluss daran wird die gewünschte Defektkonzentration in der aufgetragenen Halbleiterschicht eingestellt.