Verfahren zum Herstellen einer dicken Oxidschicht auf dem Boden einer Grabenstruktur in Silicium

摘要

Verfahren zur Herstellung einer dicken dielektrischen Gateschicht (21) auf dem Boden des Grabens eines Feldeffekttransistors des Grabentyps, wobei das Verfahren die Schritte umfasst, dass man einen sich in einen Siliciumbereich erstreckenden Graben (10) erzeugt, eine sich zumindest entlang der Seitenwände (11) und des Bodens (17) des Grabens (10) estreckende erste Schicht aus einem dielektrischen Material erzeugt; und eine Schicht aus oxidationsinhibierendem Material erzeugt, die sich entlang der Seitenwände (11) des Grabens (10) über der ersten Schicht aus dem dielektrischen Material und über den Siliciumbereich proximal zum Graben, aber nicht entlang des Bodens (17) des Grabens (10) erstreckt, und unter Verwendung eines Oxidationsprozesses am Boden (17) des Grabens (10) eine zweite Schicht eines dielektrischen Materials erzeugt, wobei das oxidationsinhibierende Material die Bildung der zweiten Schicht des elektrischen Materials entlang der Seitenwände des Grabens und über den Siliciumbereich proximal zum Graben verhindert.