| 发明名称 | 制造用于物理气相沉积P-型透明导电膜的靶的材料 | ||
| 摘要 | 本发明记载了用于制造p-型透明导电薄膜的靶的粉末状氧化物材料(MxM′y)Cu2+aO2+b，其中-0.2≤a≤0.2，-0.2≤b≤0.2，并且-M′为Sr，M为Ba和二价Cu中的一种或两种，x＞0，y＞0并且x+y＝1±0.2；或者-M为二价Cu，x＝1±0.2，且y＝0。 | ||
| 申请公布号 | CN102245797A | 申请公布日期 | 2011.11.16 |
| 申请号 | CN200980149365.8 | 申请日期 | 2009.11.30 |
| 申请人 | 尤米科尔公司 | 发明人 | 盖度·许贝里希茨;格里艾特·德里斯;达安·格德米;迈克尔·诺兰;西蒙·D·埃利奥特 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C01F11/02(2006.01)I;C01G3/02(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 张颖;樊卫民 |
| 主权项 | 用于制造p‑型透明导电薄膜的靶的粉末状氧化物材料(MxM′y)Cu2+aO2+b，其中‑0.2≤a≤0.2，‑0.2≤b≤0.2，并且‑M′为Sr，M为Ba和二价Cu中的一种或两种，x＞0、y＞0，并且x+y＝1±0.2；或者‑M为二价Cu，x＝1±0.2，并且y＝0。 | ||
| 地址 | 比利时布鲁塞尔 | ||