一种对于临界电压变异有免疫效果的电流源及其产生方法

摘要

本发明涉及一种对于临界电压变异有免疫效果的电流源，其提升该电流源中金属氧化物半导体晶体管的栅极与源极间的电压差或增加该金属氧化物半导体晶体管的通道长度以使所产生的参考电流源能够固定。本发明亦公开一种对于临界电压变异有免疫效果的电流产生方法。

主权项

一种电流源，用以驱动一第一金属氧化物半导体晶体管以产生一预定电流，其特征在于，该电流源包含：一反馈电路，包含：一第二金属氧化物半导体晶体管，包含：一源极端，耦接于一偏压源；一控制端；及一漏极端，耦接于该第二金属氧化物半导体晶体管的控制端；一第三金属氧化物半导体晶体管，包含：一源极端，耦接于该偏压源；一控制端，耦接于该第二金属氧化物半导体晶体管的控制端；及一漏极端；一第四金属氧化物半导体晶体管，包含：一漏极端，耦接于该第三金属氧化物半导体晶体管的该漏极端；一控制端，用以接收一控制电压；及一源极端，耦接于一地端；及一第五金属氧化物半导体晶体管，包含：一漏极端，耦接于该第二金属氧化物半导体晶体管的该漏极端；一控制端，用以输出该控制电压；及一源极端，耦接于该地端；一第一电阻，耦接于该地端与该第五金属氧化物半导体晶体管的控制端之间；及一金属氧化物半导体电路，包含：一源极端，耦接于该偏压源；一控制端，耦接于该第四金属氧化物半导体晶体管的该漏极端；及一漏极端，耦接于该第五金属氧化物半导体晶体管的该控制端；其中该第一、第二、第三金属氧化物半导体晶体管为P型金属氧化物半导体晶体管；该第四及第五金属氧化物半导体晶体管为N型金属氧化物半导体晶体管。