发明名称 |
用于半导体芯片内金属电阻器的温度补偿的电路、调修和布图 |
摘要 |
一种用于生成温度补偿基准电压(VREF)的温度基准电路,包括被构造用于生成基本上与温度无关的带隙基准电压(VBGR)和基本上成比例于绝对温度变化的成比例绝对温度基准电压(VPTAT)的带隙基准电路。所述电路包括连接到所述带隙基准电路并且具有作为VREF基础的输出的运算放大器。所述电路还包括连接到所述运算放大器和所述带隙基准电路并且被构造以便使VREF基本上等于VPTAT乘以常数k1减去VBGR乘以常数k2的反馈电路。 |
申请公布号 |
CN102246115A |
申请公布日期 |
2011.11.16 |
申请号 |
CN200880132107.4 |
申请日期 |
2008.11.25 |
申请人 |
凌力尔特有限公司 |
发明人 |
本哈德·海尔姆特·恩格尔 |
分类号 |
G05F3/30(2006.01)I |
主分类号 |
G05F3/30(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种用于生成补偿金属电阻器温度偏移的温度补偿基准电压(VREF)的温度补偿电路,包括:带隙基准电路,被构造用于生成带隙基准电压(VBGR),该电压基本上是温度无关的,以及用于生成成比例绝对温度基准电压(VPTAT),该电压基本上与绝对温度成比例变化;运算放大器,连接到所述带隙基准电路并且具有作为VREF基准的输出值;反馈电路,连接到所述运算放大器和所述带隙基准电路,被构造用于使VREF基本上等于VPTAT乘以常数k1,减去VBGR乘以常数k2。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |