一种用于半导体晶片键合的键合结构

摘要

本发明公开了一种用于半导体晶片键合的键合结构，其包括：一接触层，覆盖于待键合的半导体晶片表面上；一第一阻挡层，用于覆盖在接触层表面上，设有一第一绝缘区域和一第一导通区域；一导电层，覆盖于第一阻挡层表面上；一覆盖于所述导电层的第二阻挡层，设有一第二绝缘区域和一第二导通区域，第二导通区域的位置与所述第一导通区域的位置相互错开；键合层，覆盖于所述第二阻挡层表面上。本发明可完全阻挡键合层材料扩散入接触层或半导体晶片，从而完全避免影响接触层与半导体晶片的接触特性、接触层反光特性以及半导体晶片材料特性。同时，本发明还可大为提高键合结构在垂直方向的导电性和导热性。

主权项

一种用于半导体晶片键合的键合结构，其包括：一接触层，用于覆盖在待键合的半导体晶片表面上；一第一阻挡层，覆盖在接触层表面上，设有一第一绝缘区域和一第一导通区域；一导电层，覆盖在第一阻挡层表面上；一覆盖于所述导电层的第二阻挡层，设有一第二绝缘区域和一第二导通区域，第二导通区域的位置与所述第一导通区域的位置相互错开； 键合层，覆盖于所述第二阻挡层表面上。