| 主权项 |
一种功率半导体器件，包括：半导体本体，其具有N型传导性的第一III族氮化物半导体层、直接在所述第一III族氮化物半导体层上形成的P型传导性的第二III族氮化物半导体层、以及延伸过所述第二III族氮化物半导体层并终止于所述第一III族氮化物半导体层内的凹陷；III族氮化物有源异质结本体，其形成在所述半导体本体和所述凹陷上，所述III族氮化物有源异质结本体至少由所述第二III族氮化物半导体层沿所述凹陷的侧壁延伸，并包括在所述凹陷的底部覆盖在所述第一III族氮化物半导体层上的部分，所述有源异质结本体包括具有一个带隙的第一III族氮化物本体以及具有另一个带隙且在所述第一III族氮化物本体上形成的第二III族氮化物本体；第一功率电极，与所述III族氮化物有源异质结本体电耦合，并且在所述III族氮化物有源异质结本体的末端处至少部分地设置在所述第二III族氮化物半导体层上，所述第一功率电极与所述第二III族氮化物半导体层欧姆接触；第二功率电极，设置在所述第一III族氮化物半导体层上，并且直接设置在所述III族氮化物有源异质结本体的、在所述凹陷的底部覆盖在所述第一III族氮化物半导体层上的部分上，且与所述III族氮化物有源异质结本体的、在所述凹陷的底部覆盖在所述第一III族氮化物半导体层上的部分电耦合；控制电极，与所述有源异质结本体耦合，并且设置在所述第一功率电极和所述第二功率电极之间。 |
