发明名称 |
沟道式MOS P-N 结肖特基二极管结构及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开一种沟道式金属氧化物半导体P-N结肖特基二极管结构及其制作方法,该结构主要包含有一基板、一沟道结构、一多晶硅层、一氧化物层、一金属层以及一离子注入区域,其制作方法包含下列步骤:提供一基板;于该基板上形成一第一掩模层;进行一第一光刻蚀刻工艺,形成一沟道结构;于该沟道结构内成长一栅氧化物层;进行一离子注入工艺形成一离子注入区域;于该沟道结构内形成一多晶硅层;于部分该多晶硅层与该第一掩模层上形成一第二掩模层;进行一第二光刻蚀刻工艺,形成一侧壁结构并露出部分该多晶硅层与该基板;以及于生成结构上形成一金属层。本发明具有低反向电压漏电流、低正向导通压降值、高反向耐电压值与低反向恢复时间特性。 |
申请公布号 |
CN101699616B |
申请公布日期 |
2011.11.16 |
申请号 |
CN200910207265.8 |
申请日期 |
2009.10.23 |
申请人 |
英属维京群岛商节能元件股份有限公司 |
发明人 |
赵国梁;陈美玲;苏子川;郭鸿鑫 |
分类号 |
H01L21/329(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/329(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
冯志云 |
主权项 |
一种沟道式金属氧化物半导体P‑N结肖特基二极管结构制作方法,该方法至少包含下列步骤:提供一基板;于该基板上形成一第一掩模层;对该基板进行一第一光刻蚀刻工艺,进而去除部分该第一掩模层并于该基板上形成一沟道结构;于该沟道结构内进行一离子注入工艺,进而于该基板上形成一离子注入区域;于该沟道结构与该第一掩模层上形成一多晶硅层;进行一蚀刻工艺将部分该多晶硅层去除,进而露出该第一掩模层;于该多晶硅层与该第一掩模层上形成一第二掩模层;进行一第二光刻蚀刻工艺,进而形成一侧壁结构并露出部分该多晶硅层与该基板;于该第二掩模层、该多晶硅层、该基板与该侧壁结构上形成一金属层;以及进行一第三光刻蚀刻工艺,进而去除部分该金属层。 |
地址 |
中国台湾台北市 |