| 发明名称 | 等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法、等离子体处理方法、和等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法、等离子体处理方法、和等离子体处理装置。该等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法，在等离子体氮化处理中进行形成在基板上的氧化膜的氮化处理之前，进行腔室内的前处理。该等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法包括：向腔室内供给含氧的处理气体，进行等离子体化，在腔室内生成氧化等离子体的工序(步骤1)；和向腔室内供给含氮的处理气体，进行等离子体化，在腔室内生成氮化等离子体的工序(步骤2)。 | ||
| 申请公布号 | CN101681836B | 申请公布日期 | 2011.11.16 |
| 申请号 | CN200880017976.2 | 申请日期 | 2008.05.27 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 佐野正树;石塚修一 |
| 分类号 | H01L21/318(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/318(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法，其在等离子体氮化处理中进行形成在基板上的氧化膜的氮化处理之前，进行腔室内的前处理，该等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法的特征在于，包括：向所述腔室内供给含氧的处理气体，进行等离子体化，在所述腔室内生成氧化等离子体的步骤，和之后，向所述腔室内供给含氮的处理气体，进行等离子体化，在所述腔室内生成氮化等离子体的步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||