发明名称 发光元件、发光装置以及电子设备
摘要 本发明涉及在一对电极之间具有含发光物质的层的发光元件、以及使用了该发光元件的发光装置、电子设备。本发明的发光元件的特征在于:在第1电极与第2电极之间具有:含有以通式(1)表示的菲咯啉衍生物、和对所述菲咯啉衍生物显示电子给予性的物质的第1层;空穴阻挡层;电子传输层;空穴产生层;和含有发光物质的第2层。
申请公布号 CN101694869B 申请公布日期 2011.11.16
申请号 CN200910208251.8 申请日期 2005.12.01
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 野村亮二;熊木大介;濑尾哲史;池田寿雄;坂田淳一郎
分类号 H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;G09F9/33(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I 主分类号 H01L51/50(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 吴娟;孙秀武
主权项 1.一种发光元件,其特征在于:在第1电极与第2电极之间具有:含有以通式(1)表示的菲咯啉衍生物、和对所述菲咯啉衍生物显示电子给予性的选自碱金属、碱土金属、碱金属氧化物、碱土金属氧化物、碱金属氮化物、碱土金属氮化物、碱金属氟化物、碱土金属氟化物中的至少一种的物质的第1层、空穴阻挡层、电子传输层、空穴产生层、和含有发光物质的第2层,<img file="FSB00000386762600011.GIF" wi="1581" he="618" />式中,R<sup>1</sup>~R<sup>5</sup>分别表示碳原子数1~4的烷基、或卤基,R<sup>1</sup>~R<sup>5</sup>中的至少1个表示卤基。
地址 日本神奈川县厚木市