| 发明名称 | 高效的间距倍增工艺 | ||
| 摘要 | 通过经由掩模处理衬底(110)形成集成电路(100)的间距倍增及非间距倍增特征，例如，分别在集成电路(100)的阵列、接口及外围区域(102)、(104)及(106)中的特征。通过图案化光致抗蚀剂层来形成所述掩模，所述光致抗蚀剂层同时界定对应于分别在集成电路(100)的阵列、接口及外围区域(102)、(104)及(106)中的特征的掩模元件。将所述图案转移到无定形碳层(140)。在经图案化的无定形碳层(140)的侧壁上形成侧壁间隔件(165)。沉积保护性材料层(170)且接着将其图案化以暴露阵列区(102)中及接口或外围区域(104)、(106)的选定部分中的掩模元件。移除所述阵列区或其它已暴露部分中的无定形碳，从而在所述阵列区(102)中留下包括独立间距倍增间隔件(165)的图案。移除所述保护性材料(170)，从而在所述阵列区(102)中留下间距倍增间隔件的图案且在所述接口及外围区域(104)、(106)中留下非间距倍增掩模元件的图案。将所述图案转移到硬掩模层(150)，下伏衬底(110)是经由硬掩模层(150)进行蚀刻的。 | ||
| 申请公布号 | CN101512726B | 申请公布日期 | 2011.11.16 |
| 申请号 | CN200780033141.1 | 申请日期 | 2007.08.31 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 马克·费希尔;斯蒂芬·拉塞尔;H·蒙特戈梅里·曼宁 |
| 分类号 | H01L21/033(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/033(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 王允方 |
| 主权项 | 一种用于形成集成电路的方法，其包含：图案化可选择界定层，以同时界定经部分制作的集成电路的阵列区中的阵列掩模元件及外围区中的外围掩模元件；随后在所述阵列区中执行间距倍增，以形成多个独立间隔件，其中执行间距倍增包含：在所述阵列及外围掩模元件的侧壁上形成间隔件；在所述间隔件以及所述阵列及外围掩模元件上沉积保护性材料层；图案化所述保护性材料层；及优先移除所述阵列掩模元件，从而形成所述独立间隔件，且还在外围掩模元件中形成开口；及同时将至少部分地由所述独立间隔件及所述外围掩模元件界定的图案转移到衬底。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||