| 发明名称 | 集成电路结构与其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种改善可靠度的集成电路结构，包括：半导体衬底；介电层于所述半导体衬底上；金属线于所述介电层中；预处理层于所述金属线上，其中所述预处理层包含硼；以及金属盖于所述预处理层上，其中所述金属盖包含钨，且所述预处理层与所述金属盖是由不同材料形成。本发明另提供此集成电路结构形成的方法。本发明的优点包括增加了对氧与氯的阻挡能力而改善了内连线结构的可靠度，且可减少盖层扩散进入下层铜线，因此降低了铜线的电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN101345230B | 申请公布日期 | 2011.11.16 |
| 申请号 | CN200710181420.4 | 申请日期 | 2007.10.25 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张惠林;卢永诚;章勋明 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 一种集成电路结构，包括：半导体衬底；介电层，于所述半导体衬底上；金属线，于所述介电层中；预处理层，于所述金属线上，其中所述预处理层包含硼；以及金属盖，于所述预处理层上，其中所述金属盖包含钨，且所述预处理层与所述金属盖是由不同材料形成。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||