| 发明名称 | Ni-Si-Co系铜合金及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供适用于各种电子部件，尤其是镀敷的均匀附着性优异的Ni－Si－Co系铜合金。铜合金，其是含有Ni：1.0～2.5质量％、Co：0.5～2.5质量％、Si：0.3～1.2质量％，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质所构成的电子材料用铜合金，其中，板厚中心的平均结晶粒径在20μm以下、接触表面且长径在45μm以上的晶粒，相对于轧制方向长度1mm，为5个以下，并且亦可含有最大0.5质量％的Cr，且亦可含有总计最大2.0质量％的选自由Mg、P、As、Sb、Be、B、Mn、Sn、Ti、Zr、Al、Fe、Zn及Ag所构成的群的1种或2种以上的元素。 | ||
| 申请公布号 | CN102245787A | 申请公布日期 | 2011.11.16 |
| 申请号 | CN200980149672.6 | 申请日期 | 2009.12.11 |
| 申请人 | JX日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 桑垣宽 |
| 分类号 | C22C9/06(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I;C22C9/01(2006.01)I;C22C9/02(2006.01)I;C22C9/04(2006.01)I;C22C9/05(2006.01)I;C22C9/10(2006.01)I;C22F1/08(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;C22F1/00(2006.01)I | 主分类号 | C22C9/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 庞立志;郭文洁 |
| 主权项 | 电子材料用铜合金，其是含有Ni：1.0～2.5质量％、Co：0.5～2.5质量％、Si：0.3～1.2质量％，剩余部分由Cu及不可避免的杂质所构成的电子材料用铜合金，其特征在于，板厚中心的平均结晶粒径为20μm以下、接触表面且长径为45μm以上的晶粒，相对于轧制方向长度1mm，为5个以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||