提高出光效率的LED制备方法

摘要

本发明公开了一种提高出光效率的LED制备方法，涉及半导体发光器件的制备工艺。该方法的目的是提高出光效率和产品良率。其技术方案包括：在蓝宝石衬底上外延薄膜后，蒸镀透明导电层，并进行合金处理，生长SiO2保护层；将粘胶涂到SiO2保护层上，并与临时支撑基板一起固化；进行激光剥离蓝宝石衬底；对剥离后的外延薄膜的N面进行粗化处理；在外延薄膜的N面制作透明的、可以固化的粘接材料层，并对该粘接材料层进行固化；制备反射层，与上述粘接材料层一起进行高温固化；在粗化表面上面的层上制作槽内N电极；蒸发邦定金属层，并与导电导热的永久性基板进行共晶键合；除掉临时支撑基板、SiO2保护层，在透明导电层上制作P电极。

主权项

一种提高出光效率的LED制备方法，其包括：在蓝宝石衬底上通过先后长好缓冲层、n‑GaN、发光层、p‑GaN外延薄膜后，蒸镀透明导电层，并进行合金处理，生长SiO2保护层；将粘胶涂到SiO2保护层上，并与临时支撑基板一起固化；进行激光剥离蓝宝石衬底；对剥离后的外延薄膜的N面进行粗化处理；在外延薄膜的N面制作透明的、可以固化的粘接材料层，并对该粘接材料层进行固化；制备反射层，与上述粘接材料层一起进行高温固化；在粗化表面上面的层上形成电极状电极槽，在电极槽内制作N电极；蒸发邦定金属层，并与导电导热的永久性基板进行共晶键合；除掉临时支撑基板和其上的粘胶，刻蚀SiO2保护层，在透明导电层上制作P电极。