光电元件粗化结构、粗化表面、粗化层及其制造方法

摘要

本发明提供光电元件粗化结构、粗化表面、粗化层及其制造方法。本发明提供一种具有双重尺度粗化结构的光电元件，其在光电元件的半导体层外延过程中，通过高浓度掺杂杂质，以使此半导体层成长出多个岛体。随后，降低外延温度以持续在多个岛体上形成多个针孔，其中针孔分布于岛体的顶部与侧面，可大幅降低光线在光电元件内部的全反射率，进而增加光电元件的光强表现。而和传统技术相比较而言，本发明提出的工艺具有低污染、工艺简单、成本低廉、光取出效率更佳、双重尺度出光面的有效面积较大等等优势。

主权项

一种光电元件粗化层，包含：掺杂层，以高浓度掺杂方式外延于该光电元件的半导体层上；以及低温层，降低该掺杂层的外延温度以持续形成于该掺杂层上。