集成存储装置、集成存储芯片和制造集成存储装置的方法

摘要

本发明涉及存储装置、存储器和处理该存储器的方法。本发明的实施例涉及集成存储装置、集成存储芯片和用于制造集成存储装置的方法，包括至少一个具有漏极端子、源极端子、浮栅、选择栅极端子和控制栅极端子的集成存储装置，其中漏极端子和源极端子之间的导电性能够通过控制栅极端子被独立控制。

主权项

一种集成装置，包括：包括漏极、源极、对准的层堆叠和控制栅极的第一存储装置，所述对准的层堆叠包括浮栅和选择栅极，其中所述漏极和所述源极之间的导电性能够通过所述控制栅极被独立控制；和与第一存储装置共享所述控制栅极的第二存储装置，其中面向所述漏极的所述控制栅极的边缘覆盖包括浮栅和选择栅极的层堆叠的三分之二。