发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。该方法包括如下步骤:在一介电板上印制多个导电图案,以形成一预制墨印板,且将预制墨印板接合至一基底的一侧。导电特征部件包括一基底通孔电极自基底的一第一侧延伸至基底的一第二侧,其相对于第一侧。涂覆一导电材料,以将导电图案电性耦接至基底的导电特征部件。本发明的半导体装置的晶片及芯片内不会因形成内连线结构而产生热致应力。 |
申请公布号 |
CN102244032A |
申请公布日期 |
2011.11.16 |
申请号 |
CN201010250743.6 |
申请日期 |
2010.08.10 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
柯俊成;谢棋君;侯上勇;邱文智;郑心圃;余振华 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
姜燕;陈晨 |
主权项 |
一种半导体装置的制造方法,包括:提供一基底,其包括一导电特征部件,其中该导电特征部件包括一基底通孔电极自该基底的一第一侧延伸至该基底的一第二侧,其相对于该第一侧;提供一第一介电板;在该第一介电板上印制多个第一导电图案,以形成一第一预制墨印板;将该第一预制墨印板接合至该基底的该第一侧上;以及涂覆一导电材料,以将所述多个第一导电图案电性耦接至该基底的该导电特征部件。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |